MWI35-12A7
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; Ic: 44A
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MWI35-12A7
Symbol TME:
MWI35-12A7
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Topologie | 3-phasen Brücke IGBT | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 44A | |
Gehäuse | E2-Pack | |
Anwendung | Motoren | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 70A | |
Technologie | NPT | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht100 g
Zertifikate
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: IGBT-Module IXYS,
* MWI35-12A7
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 1)
Nettopreis für Mengen von 1 st - 130.52 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 156.62 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 117.01 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 140.42 USD
Nettopreis für Mengen von 6 st - 103.40 USDBruttopreis für Mengen von 6 st - 124.08 USD