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Hersteller: ONSEMI
Hersteller | ONSEMI | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Drain-Source Spannung | 1,2kV | |
Drainstrom | 27A | |
Gehäuse | APM32 | |
Topologie | MOSFET x2 Halbbrücke | |
Elektrische Montage | THT | |
Widerstand im Leitungszustand | 71mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 240A | |
Verlustleistung | 319W | |
Technologie | SiC | |
Gate-Source Spannung | -15...25V | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Mechanische Montage | schraubbar |