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Hersteller: ONSEMI
Hersteller | ONSEMI | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 1,2kV | ||
Drainstrom | 27A | ||
Gehäuse | APM32 | ||
Topologie | MOSFET x2 Halbbrücke | ||
Elektrische Montage | THT | ||
Widerstand im Leitungszustand | 71mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 240A | ||
Verlustleistung | 319W | ||
Technologie | SiC | ||
Gate-Source Spannung | -15...25V | ||
Verpackungs-Art | Tube | ||
Mechanische Montage | schraubbar |