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Hersteller: ONSEMI
Hersteller | ONSEMI | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 80V | ||
Drainstrom | 200A | ||
Gehäuse | APM12-CBA | ||
Topologie | MOSFET Halbbrücke | ||
Elektrische Montage | THT | ||
Widerstand im Leitungszustand | 2,4mΩ | ||
Gate-Source Spannung | ±20V | ||
Verpackungs-Art | Tray | ||
Mechanische Montage | schraubbar |