STGAP2SICSTR
IC: driver; SiC MOSFET Torsteuerung; SO8-W; -4÷4A; 1,2kV; Ch: 1
Hersteller: STMicroelectronics
Hersteller-Nr.:
STGAP2SICSTR
Symbol TME:
STGAP2SICSTR
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Integrierten Schaltkreises-Typ | driver | |
Integrierten Schaltkreises-Art | SiC MOSFET Torsteuerung | |
Gehäuse | SO8-W | |
Ausgangsstrom | -4...4A | |
Ausgangsspannung | 1,2kV | |
Anzahl Kanäle | 1 | |
Eigenschafte integrierter Schaltkreise | galvanische Trennung | |
Montage | SMD | |
Betriebstemperatur | -40...125°C | |
Verpackungs-Art | Band, Rolle |
Versorgungsspannung
- 3,1...5,5V
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
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