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STGE200NB60S

Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 150A; ISOTOP


Hersteller: STMicroelectronics

Hersteller-Nr.:
STGE200NB60S
Symbol TME:
STGE200NB60S

Technische Daten

Hersteller
STMicroelectronics
Typ des Halbleitermoduls
IGBT
Struktur des Halbleiters
einzelner Transistor
Rückspannung max.
0,6kV
Kollektor-Emitter-Strom
150A
Gehäuse
ISOTOP
Elektrische Montage
schraubbar
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
400A
Verlustleistung
600W
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht35.78 g
Zertifikate
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STGE200NB60S
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Nettopreis für Mengen von 10 st - 21.33 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 25.60 USD
Nettopreis für Mengen von 20 st - 19.97 USDBruttopreis für Mengen von 20 st - 23.97 USD
Nettopreis für Mengen von 50 st - 18.85 USDBruttopreis für Mengen von 50 st - 22.62 USD
Nettopreis für Mengen von 100 st - 18.33 USDBruttopreis für Mengen von 100 st - 22.00 USD
Verpackungsmethode durch den Hersteller:Rohr = 10 st