VUM25-05E
Modul; Diode/Transistor; 500V; 35A; V1-A-Pack; Idm: 95A; 36W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
VUM25-05E
Symbol TME:
VUM25-05E
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | |
Drain-Source Spannung | 500V | |
Drainstrom | 35A | |
Gehäuse | V1-A-Pack | |
Topologie | 3-phase PFC | |
Elektrische Montage | Steckverbinder FASTON | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 0,12Ω | |
Drainstrom im Impuls | 95A | |
Verlustleistung | 36W | |
Gate-Source Spannung | ±20V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht50 g
Zertifikate
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* VUM25-05EAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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