VUM85-05A
Modul; Diode/Transistor; 500V; 130A; V2-Pack; Press-in PCB; 1,38kW
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
VUM85-05A
Symbol TME:
VUM85-05A
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | |
Drain-Source Spannung | 500V | |
Drainstrom | 130A | |
Gehäuse | V2-Pack | |
Topologie | 3-phase PFC | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 36mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 520A | |
Verlustleistung | 1,38kW | |
Gate-Source Spannung | ±20V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht50 g
Zertifikate
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* VUM85-05AAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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