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ONSEMI in der Kategorie IGBT-Module

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Seite 1
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x3; Ic: 660A
Kennzeichnung des Herstellers: NVH660S75L4SPFC
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 4 st - 664.94 USDBruttopreis für Mengen von 4 st - 797.93 USD
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Anzahl Stück (Vielfache: 4)
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Level 1-Phasen Wechselrichter
Kennzeichnung des Herstellers: NXH450N65L4Q2F2S1G
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 36 st - 151.33 USDBruttopreis für Mengen von 36 st - 181.60 USD
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Anzahl Stück (Vielfache: 36)
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x3; Ic: 820A
Kennzeichnung des Herstellers: NVH820S75L4SPB
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 4 st - 717.68 USDBruttopreis für Mengen von 4 st - 861.21 USD
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Anzahl Stück (Vielfache: 4)
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Level 1-Phasen Wechselrichter
Kennzeichnung des Herstellers: NXH600N65L4Q2F2SG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 36 st - 168.53 USDBruttopreis für Mengen von 36 st - 202.24 USD
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Anzahl Stück (Vielfache: 36)
NEW
FGD3245G2-F085V | Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK
Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK
Kennzeichnung des Herstellers: FGD3245G2-F085V
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 2500 st - 1.19 USDBruttopreis für Mengen von 2500 st - 1.42 USD
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Anzahl Stück (Vielfache: 2 500)
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x3; Ic: 640A
Kennzeichnung des Herstellers: NVH640S75L4SPB
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 4 st - 616.79 USDBruttopreis für Mengen von 4 st - 740.15 USD
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Anzahl Stück (Vielfache: 4)
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x3; Ic: 820A
Kennzeichnung des Herstellers: NVH820S75L4SPC
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 4 st - 717.68 USDBruttopreis für Mengen von 4 st - 861.21 USD
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Anzahl Stück (Vielfache: 4)
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x3; Ic: 950A
Kennzeichnung des Herstellers: NVH950S75L4SPB
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 4 st - 970.99 USDBruttopreis für Mengen von 4 st - 1 165.18 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 4)
Modul: IGBT; Ic: 61A
Kennzeichnung des Herstellers: NXH100B120H3Q0SG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 24 st - 59.39 USDBruttopreis für Mengen von 24 st - 71.26 USD
576 im externen Lager
Anzahl Stück (Vielfache: 24)
Ein für Geschäftskunden verfügbares Angebot
Modul: IGBT; Diode/Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 181A; PIM56
Kennzeichnung des Herstellers: NXH160T120L2Q2F2S1G
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 12 st - 122.50 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 147.00 USD
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Anzahl Stück (Vielfache: 12)
Modul: IGBT; Ic: 330A; PIM
Kennzeichnung des Herstellers: NXH200T120H3Q2F2STNG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 12 st - 146.53 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 175.83 USD
396 im externen Lager
Anzahl Stück (Vielfache: 12)
Ein für Geschäftskunden verfügbares Angebot
Modul: IGBT; Ic: 330A; PIM
Kennzeichnung des Herstellers: NXH200T120H3Q2F2SG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 12 st - 146.53 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 175.83 USD
192 im externen Lager
Anzahl Stück (Vielfache: 12)
Ein für Geschäftskunden verfügbares Angebot
Modul: IGBT; SiC-Diode/Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 92A; PIM32
Kennzeichnung des Herstellers: NXH240B120H3Q1P1G
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 21 st - 101.58 USDBruttopreis für Mengen von 21 st - 121.89 USD
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Anzahl Stück (Vielfache: 21)
Modul: IGBT; Ic: 68A; PIM32
Kennzeichnung des Herstellers: NXH240B120H3Q1PG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 21 st - 91.26 USDBruttopreis für Mengen von 21 st - 109.51 USD
504 im externen Lager
Anzahl Stück (Vielfache: 21)
Ein für Geschäftskunden verfügbares Angebot
Modul: IGBT; SiC-Diode/Transistor; Urmax: 1kV; Ic: 400A; PIM42; SiC
Kennzeichnung des Herstellers: NXH400N100H4Q2F2PG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 36 st - 261.92 USDBruttopreis für Mengen von 36 st - 314.30 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 36)
NXH40B120MNQ0SNG
Kennzeichnung des Herstellers: NXH40B120MNQ0SNG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 24 st - 85.59 USDBruttopreis für Mengen von 24 st - 102.71 USD
576 im externen Lager
Anzahl Stück (Vielfache: 24)
Ein für Geschäftskunden verfügbares Angebot
Modul: IGBT; Ic: 101A; PIM
Kennzeichnung des Herstellers: NXH450B100H4Q2F2SG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 12 st - 162.78 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 195.34 USD
216 im externen Lager
Anzahl Stück (Vielfache: 12)
Ein für Geschäftskunden verfügbares Angebot
Modul: IGBT; SiC-Diode/Transistor; Urmax: 1kV; Ic: 450A; Press-Fit
Kennzeichnung des Herstellers: NXH450B100H4Q2F2PG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 36 st - 178.76 USDBruttopreis für Mengen von 36 st - 214.51 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 36)
Modul: IGBT; Diode/Transistor; Urmax: 650V; Ic: 59A; PIM27; SiC
Kennzeichnung des Herstellers: NXH75M65L4Q1PTG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 21 st - 70.17 USDBruttopreis für Mengen von 21 st - 84.20 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 21)
Modul: IGBT; Diode/Transistor; IGBT Halbbrücke,NTC Thermistor
Kennzeichnung des Herstellers: NXH800H120L7QDSG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 24 st - 237.23 USDBruttopreis für Mengen von 24 st - 284.67 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 24)
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