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APT35GP120J

Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,2kV; Ic: 29A; SOT227B


Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
APT35GP120J
Référence TME:
APT35GP120J

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
transistor simple
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
29A
Boîtier
SOT227B
Montage électrique
vissés
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
140A
La technologie
POWER MOS 7®, PT
Genre de la emballage
tube
Montage mécanique
vissés
Poids brut36.43 g
Certificates

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APT35GP120J
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