APT50GF120JRD
Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,2kV; Ic: 64A; SOT227B
Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY
Marque du fabricant:
APT50GF120JRD
Référence TME:
APT50GF120JRD
Spécification
Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Type de module semi-conducteur | IGBT | ||
Construction de semi-conducteur | transistor simple | ||
Tension inverse max. | 1,2kV | ||
Courant du collecteur | 64A | ||
Boîtier | SOT227B | ||
Montage électrique | vissés | ||
Tension entrée - émetteur | ±30V | ||
Courant du collecteur d'impulsion | 225A | ||
La technologie | NPT | ||
Genre de la emballage | tube | ||
Montage mécanique | vissés |
Poids brut30 g
Certificates
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