APT75GT120JRDQ3
Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,2kV; Ic: 57A; SOT227B
Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY
Marque du fabricant:
APT75GT120JRDQ3
Référence TME:
APT75GT120JRDQ3
Spécification
Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type de module semi-conducteur | IGBT | |
Construction de semi-conducteur | transistor simple | |
Tension inverse max. | 1,2kV | |
Courant du collecteur | 57A | |
Boîtier | SOT227B | |
Montage électrique | vissés | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 300A | |
La technologie | NPT, POWER MOS 7® | |
Genre de la emballage | tube | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut30 g
Certificates
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* APT75GT120JRDQ3Nombre de pièces (Multiplication: 1)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 50.59 GBPPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 61.22 GBP
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 45.54 GBPPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 55.11 GBP
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 40.24 GBPPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 48.69 GBP
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