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Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET / IGBT | |
Construction de semi-conducteur | transistor/transistor | |
Tension drain-source | 600V | |
Courant du drain | 38A | |
Boîtier | SP3 | |
Topologie | redresseur H, thermistor NTC | |
Montage électrique | Press-in PCB | |
Résistance en état de conduction | 45mΩ | |
Courant du drain dans l'impulsion | 130A | |
Puissance de dissipation | 290W | |
La technologie | Field Stop, SJ-MOSFET, Trench | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Montage mécanique | vissés | |
Courant du collecteur | 50A |