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B3D20120H

Diode: redressement Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 20A; TO247-2; 259W

Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
B3D20120H
Référence TME:
B3D20120H

Spécification

Fabricant
BASiC SEMICONDUCTOR
Type de diode
redressement Schottky
La technologie
SiC
Montage
THT
Tension inverse max.
1,2kV
Courant de conduction
20A
Construction de semi-conducteur
diode simple
Boîtier
TO247-2
Courant d'impulsion max.
160A
Puissance de dissipation
259W
Genre de la emballage
tube
Poids brut1 g
Certificates

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B3D20120H
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.94 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 2.34 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 1.75 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 2.11 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 1.54 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 1.86 USD
Prix net pour les quantités de 120 pcs - 1.39 USDPrix brut pour les quantités de 120 pcs - 1.69 USD
Prix net pour les quantités de 300 pcs - 1.29 USDPrix brut pour les quantités de 300 pcs - 1.56 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)