IXFN160N30T
Module; transistor simple; 300V; 130A; SOT227B; vissés; Idm: 444A
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXFN160N30T
Référence TME:
IXFN160N30T
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | |
Construction de semi-conducteur | transistor simple | |
Tension drain-source | 300V | |
Courant du drain | 130A | |
Boîtier | SOT227B | |
Montage électrique | vissés | |
Polarisation | unipolaire | |
Résistance en état de conduction | 19mΩ | |
Courant du drain dans l'impulsion | 444A | |
Puissance de dissipation | 900W | |
La technologie | GigaMOS™ | |
Genre de canal | enrichi | |
Charge d'entrée | 376nC | |
Temps d'attente | 200ns | |
Tension entrée-source | ±30V | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut35.8 g
Certificates
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* IXFN160N30TNombre de pièces (Multiplication: 1)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 25.55 EURPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 30.92 EUR
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 23.18 EURPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 28.04 EUR
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 10 pcs