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STGAP2SICSTR

IC: driver; commande de ports SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4A; 1,2kV

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
STGAP2SICSTR
Référence TME:
STGAP2SICSTR

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de circuit intégré
driver
Genre de circuit intégré
commande de ports SiC MOSFET
Boîtier
SO8-W
Courant de base
-4...4A
Tension de sortie
1,2kV
Nombre de canaux
1
Caractéristiques des circuits intégrés
séparation galvanique
Montage
SMD
Température de travail
-40...125°C
Genre de la emballage
bande, rouleau
Tension d'alimentation
  • 3,1...5,5V
Poids brut1 g
Certificates
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STGAP2SICSTR
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Nombre de pièces (Multiplication: 1)