+1 500 000 producten

7000 pakketten

+300 000 klanten uit 150 landen

Klantregistratie

Wij willen u erop wijzen dat er op 23 oktober 2026 tussen 20.00 en 22.00 uur (CEST) problemen kunnen optreden met de toegang tot de website en het plaatsen van online bestellingen. Onze excuses voor het ongemak.

Gegevens worden verwerkt

Uw kredietlimiet is overschreden. De bestelling wordt geaccepteerd, maar zal niet worden gerealiseerd. De leveringstermijn voor de bestelde artikelen wordt ook niet bepaald. Neem contact op met TME.

De bewerking is succesvol voltooid.

Er is een onverwachte fout opgetreden. Probeer het nog eens.

Producent	MICROCHIP TECHNOLOGY
Type halfgeleidermodule	MOSFET transistor
Structuur van semiconductor	SiC-diode/transistor
Spanning dren-bron	1,2kV
Drainstroom	86A
Behuizing	SP6
Topologie	enkele transistor + seriediode + parallelle diode
Elektrische montage	geschroefd
Weerstand in geleidingstoestand	0,12Ω
Gepulseerde drainstroom	464A
Vermogensdissipatie	3,29kW
Technologie	POWER MOS 7®, SiC
Gate-source spanning	±30V
Mechanische montage	geschroefd

APTM120U10SCAVG

Module; SiC-diode/transistor; 1,2kV; 86A; SP6; geschroefd; 3,29kW

Specificatie

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. is importeur van de producten van dit merk