+1 500 000 producten

7000 pakketten

+300 000 klanten uit 150 landen

QuickBuy Favorieten
Winkelwagen

GD30PJX65L2S

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A

Productfamilie

Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Aanduiding van de fabrikant:
GD30PJX65L2S
Symbool TME:
GD30PJX65L2S

Specificatie

Producent
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type halfgeleidermodule
IGBT
Structuur van semiconductor
diode/transistor
Topologie
3-fasige diodebrug, 3-fasige IGBT-brug, OE-uitgang, boost chopper, NTC-thermistor
Omgekeerde spanning max.
650V
Stroom van de collector
30A
Behuizing
L2.2
Elektrische montage
Press-in PCB
Spanning poort - verzender
±20V
Stroom van collector in impuls
60A
Technologie
Trench FS IGBT
Mechanische montage
geschroefd
Brutogewicht24 g
Certificaten
Bekijk de overige producten van deze categorie: IGBT modules STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD30PJX65L2S
0 op voorraad bij TME
Nettoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 32.53 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 39.36 EUR
Nettoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 28.73 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 34.76 EUR
Nettoprijs voor hoeveelheden van 12 st - 25.82 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 12 st - 31.25 EUR
Nettoprijs voor hoeveelheden van 24 st - 24.12 EURBrutoprijs voor hoeveelheden van 24 st - 29.19 EUR
Aantal (Veelvoud: 1)
Minimaal aantal dat besteld kan worden: 1.
Veelvoud: 1.