IXFN30N120P

Name: IXYS IXFN30N120P
Brand: IXYS
SKU: IXFN30N120P
Availability: OutOfStock

Module; enkele transistor; 1,2kV; 30A; SOT227B; geschroefd; 890W

Producent: IXYS

Aanduiding van de fabrikant:

IXFN30N120P

Symbool TME:

IXFN30N120P

Nettoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 81.59 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 1 st - 98.73 USD

Nettoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 72.14 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 3 st - 87.29 USD

Nettoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 64.79 USDBrutoprijs voor hoeveelheden van 10 st - 78.39 USD

Aantal (Veelvoud: 1)

Minimaal aantal dat besteld kan worden: 1.
Veelvoud: 1.

Verpakkingsmethode door de fabrikantKoker = 10 st

Producent	IXYS
Type halfgeleidermodule	MOSFET transistor
Structuur van semiconductor	enkele transistor
Spanning dren-bron	1,2kV
Drainstroom	30A
Behuizing	SOT227B
Elektrische montage	geschroefd
Polarisatie	unipolair
Weerstand in geleidingstoestand	0,35Ω
Gepulseerde drainstroom	75A
Vermogensdissipatie	890W
Technologie	HiPerFET™, Polar™
Soort kanaal	verrijkt
Lading op de poort	310nC
Tijd gereedheid	300ns
Gate-source spanning	±40V
Mechanische montage	geschroefd