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IXTN600N04T2

Module; transistor simple; 40V; 600A; SOT227B; vissés; Idm: 1,8kA

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXTN600N04T2
Référence TME:
IXTN600N04T2

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur
transistor simple
Tension drain-source
40V
Courant du drain
600A
Boîtier
SOT227B
Montage électrique
vissés
Polarisation
unipolaire
Résistance en état de conduction
1,3mΩ
Courant du drain dans l'impulsion
1,8kA
Puissance de dissipation
940W
La technologie
GigaMOS™, TrenchT2™
Genre de canal
enrichi
Charge d'entrée
590nC
Temps d'attente
100ns
Tension entrée-source
±30V
Montage mécanique
vissés
Poids brut30 g
Certificates
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IXTN600N04T2
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