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Fabricant	IXYS
Type de module semi-conducteur	de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur	transistor simple
Tension drain-source	1,5kV
Courant du drain	7,5A
Boîtier	SOT227B
Montage électrique	vissés
Polarisation	unipolaire
Résistance en état de conduction	3,6Ω
Courant du drain dans l'impulsion	20A
Puissance de dissipation	545W
La technologie	Linear™
Genre de canal	enrichi
Charge d'entrée	250nC
Temps d'attente	1,7µs
Tension entrée-source	±40V
Montage mécanique	vissés

IXTN8N150L

Module; transistor simple; 1,5kV; 7,5A; SOT227B; vissés; Idm: 20A

Spécification