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ONSEMI in der Kategorie IGBT-Module

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NVH660S75L4SPFC
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x3; Ic: 660A
Kennzeichnung des Herstellers: NVH660S75L4SPFC
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 4 st - 580.00 EURBruttopreis für Mengen von 4 st - 580.00 EUR
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 4)
NXH450N65L4Q2F2S1G
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Level 1-Phasen Wechselrichter
Kennzeichnung des Herstellers: NXH450N65L4Q2F2S1G
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 36 st - 132.00 EURBruttopreis für Mengen von 36 st - 132.00 EUR
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 36)
NXH160T120L2Q2F2S1
Modul: IGBT; Diode/Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 181A; PIM56
Kennzeichnung des Herstellers: NXH160T120L2Q2F2S1G
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 12 st - 106.85 EURBruttopreis für Mengen von 12 st - 106.85 EUR
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 12)
NXH600N65L4Q2F2SG
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Level 1-Phasen Wechselrichter
Kennzeichnung des Herstellers: NXH600N65L4Q2F2SG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 36 st - 147.00 EURBruttopreis für Mengen von 36 st - 147.00 EUR
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Anzahl Stück (Vielfache: 36)
NVH640S75L4SPB
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x3; Ic: 640A
Kennzeichnung des Herstellers: NVH640S75L4SPB
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 4 st - 538.00 EURBruttopreis für Mengen von 4 st - 538.00 EUR
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 4)
NVH820S75L4SPB
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x3; Ic: 820A
Kennzeichnung des Herstellers: NVH820S75L4SPB
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 4 st - 626.00 EURBruttopreis für Mengen von 4 st - 626.00 EUR
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 4)
NVH820S75L4SPC
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x3; Ic: 820A
Kennzeichnung des Herstellers: NVH820S75L4SPC
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 4 st - 626.00 EURBruttopreis für Mengen von 4 st - 626.00 EUR
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 4)
NVH950S75L4SPB
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x3; Ic: 950A
Kennzeichnung des Herstellers: NVH950S75L4SPB
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 4 st - 832.21 EURBruttopreis für Mengen von 4 st - 832.21 EUR
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 4)
NXH100B120H3Q0SG-0
Modul: IGBT; Ic: 61A
Kennzeichnung des Herstellers: NXH100B120H3Q0SG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 24 st - 50.90 EURBruttopreis für Mengen von 24 st - 50.90 EUR
576 im externen Lager
Anzahl Stück (Vielfache: 24)
Ein für Geschäftskunden verfügbares Angebot
NXH200T120H3Q2F2-0
Modul: IGBT; Ic: 330A; PIM
Kennzeichnung des Herstellers: NXH200T120H3Q2F2STNG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 12 st - 125.59 EURBruttopreis für Mengen von 12 st - 125.59 EUR
396 im externen Lager
Anzahl Stück (Vielfache: 12)
Ein für Geschäftskunden verfügbares Angebot
NXH200T120H3Q2F2-1
Modul: IGBT; Ic: 330A; PIM
Kennzeichnung des Herstellers: NXH200T120H3Q2F2SG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 12 st - 125.59 EURBruttopreis für Mengen von 12 st - 125.59 EUR
192 im externen Lager
Anzahl Stück (Vielfache: 12)
Ein für Geschäftskunden verfügbares Angebot
NXH240B120H3Q1P1G
Modul: IGBT; SiC-Diode/Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 92A; PIM32
Kennzeichnung des Herstellers: NXH240B120H3Q1P1G
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 21 st - 88.60 EURBruttopreis für Mengen von 21 st - 88.60 EUR
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 21)
NXH240B120H3Q1PG-0
Modul: IGBT; Ic: 68A; PIM32
Kennzeichnung des Herstellers: NXH240B120H3Q1PG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 21 st - 78.21 EURBruttopreis für Mengen von 21 st - 78.21 EUR
504 im externen Lager
Anzahl Stück (Vielfache: 21)
Ein für Geschäftskunden verfügbares Angebot
NXH400N100H4Q2F2PG
Modul: IGBT; SiC-Diode/Transistor; Urmax: 1kV; Ic: 400A; PIM42; SiC
Kennzeichnung des Herstellers: NXH400N100H4Q2F2PG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 36 st - 228.47 EURBruttopreis für Mengen von 36 st - 228.47 EUR
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 36)
NXH40B120MNQ0SNG-0
NXH40B120MNQ0SNG
Kennzeichnung des Herstellers: NXH40B120MNQ0SNG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 24 st - 73.36 EURBruttopreis für Mengen von 24 st - 73.36 EUR
576 im externen Lager
Anzahl Stück (Vielfache: 24)
Ein für Geschäftskunden verfügbares Angebot
NXH450B100H4Q2F2-0
Modul: IGBT; Ic: 101A; PIM
Kennzeichnung des Herstellers: NXH450B100H4Q2F2SG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 12 st - 139.52 EURBruttopreis für Mengen von 12 st - 139.52 EUR
216 im externen Lager
Anzahl Stück (Vielfache: 12)
Ein für Geschäftskunden verfügbares Angebot
NXH450B100H4Q2F2PG
Modul: IGBT; SiC-Diode/Transistor; Urmax: 1kV; Ic: 450A; Press-Fit
Kennzeichnung des Herstellers: NXH450B100H4Q2F2PG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 36 st - 155.92 EURBruttopreis für Mengen von 36 st - 155.92 EUR
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 36)
NXH75M65L4Q1PTG
Modul: IGBT; Diode/Transistor; Urmax: 650V; Ic: 59A; PIM27; SiC
Kennzeichnung des Herstellers: NXH75M65L4Q1PTG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 21 st - 61.21 EURBruttopreis für Mengen von 21 st - 61.21 EUR
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 21)
NXH800H120L7QDSG
Modul: IGBT; Diode/Transistor; IGBT Halbbrücke,NTC Thermistor
Kennzeichnung des Herstellers: NXH800H120L7QDSG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 24 st - 206.92 EURBruttopreis für Mengen von 24 st - 206.92 EUR
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 24)
NXH80B120MNQ0SNG-0
NXH80B120MNQ0SNG
Kennzeichnung des Herstellers: NXH80B120MNQ0SNG
Hersteller: ONSEMI
Nettopreis für Mengen von 24 st - 55.74 EURBruttopreis für Mengen von 24 st - 55.74 EUR
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