1N5711E3
Diode: Schaltdiode Schottky; DO35; 50V; 33mA
NEUHEIT
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
1N5711E3
Symbol TME:
1N5711E3
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Dioden-Typ | Schaltdiode Schottky | |
Gehäuse | DO35 | |
Rückspannung max. | 50V | |
Vorwärtsstrom | 33mA | |
Struktur des Halbleiters | einzelne Diode | |
Kapazität | 2pF | |
Vorwärtsspannung max. | 1V | |
Leck strom | 0,2µA |
Bruttogewicht0.15 g
Zertifikate
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* 1N5711E3Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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