1N6169US/TR
Diode: TVS; 1,5kW; 123,5V; Bidirektional; Ch: 1; Rolle,Band
NEUHEIT
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
1N6169US/TR
Symbol TME:
1N6169US/TR
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Dioden-Typ | TVS | |
Verlustleistung pro Impuls max. | 1,5kW | |
Rückspannung max. | 98,8V | |
Durchbruchspannung | 123,5V | |
Struktur des Halbleiters | Bidirektional | |
Montage | SMD | |
Anzahl Kanäle | 1 | |
Verpackungs-Art | Band, Rolle | |
Betriebstemperatur | -55...175°C |
Bruttogewicht0.1 g
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* 1N6169US/TRAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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