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NTE2396A

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220

Hersteller: NTE Electronics

Kennzeichnung des Herstellers:
NTE2396A
Symbol TME:
NTE2396A

Technische Daten

Hersteller
NTE Electronics
Transistor-Typ
N-MOSFET
Polarisierung
unipolar
Drain-Source Spannung
100V
Drainstrom
23A
Drainstrom im Impuls
110A
Verlustleistung
130W
Gehäuse
TO220
Gate-Source Spannung
±20V
Widerstand im Leitungszustand
40mΩ
Montage
THT
Kanal-Art
anreicherungs
Bruttogewicht4.6 g
Zertifikate
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NTE2396A
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