A1P35S12M3
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x3; Ic: 35A
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
A1P35S12M3
Symbol TME:
A1P35S12M3
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | ||
Topologie | IGBT Halbbrücke x3, NTC Thermistor | ||
Rückspannung max. | 1,2kV | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 35A | ||
Gehäuse | ACEPACK™1 | ||
Anwendung | Motoren, Wechselrichter | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 70A | ||
Verlustleistung | 250W | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht24.84 g
Zertifikate
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* A1P35S12M3Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Nettopreis für Mengen von 1 st - 44.35 EURBruttopreis für Mengen von 1 st - 52.78 EUR
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Verpackungsmethode durch den HerstellerKarton = 18 st