AB2M040120Z
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 51A; Idm: 128A; 348W
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Kennzeichnung des Herstellers:
AB2M040120Z
Symbol TME:
AB2M040120Z
Technische Daten
Hersteller | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Transistor-Typ | N-MOSFET | |
Technologie | SiC | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 1,2kV | |
Drainstrom | 51A | |
Drainstrom im Impuls | 128A | |
Verlustleistung | 348W | |
Gehäuse | TO247-4 | |
Gate-Source Spannung | -4...18V | |
Widerstand im Leitungszustand | 40mΩ | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 90nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | Kelvin Terminal | |
Anwendung | Automobilbranche |
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
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* AB2M040120ZAnzahl Stück (Vielfache: 300)
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