AIMZH120R040M1TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES - Transistor N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 39A; Idm: 140A; 134W
Kennzeichnung des Herstellers: AIMZH120R040M1TXKSA1
AIMZH120R040M1TXKSA1
Symbol TME: AIMZH120R040M1T
Technische Daten
Hersteller | INFINEON TECHNOLOGIES | |
Transistor-Typ | N-MOSFET | |
Technologie | CoolSiC™, SiC | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 1,2kV | |
Drainstrom | 39A | |
Drainstrom im Impuls | 140A | |
Verlustleistung | 134W | |
Gehäuse | TO247-4 | |
Gate-Source Spannung | -5...23V | |
Widerstand im Leitungszustand | 80mΩ | |
Montage | THT | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | Kelvin Terminal | |
Anwendung | Automobilbranche |
Bruttogewicht5 g
Zertifikate
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* AIMZH120R040M1TXKSA1Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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