APT100GN60B2G
Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 135A; 625W; T-Max
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APT100GN60B2G
Symbol TME:
APT100GN60B2G
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Technologie | Field Stop | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 600V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 135A | |
Verlustleistung | 625W | |
Gehäuse | T-Max | |
Gate - Emitter Spannung | ±30V | |
Kollektorstrom im Impuls | 300A | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 600nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Anschaltzeit | 96ns | |
Ausschaltzeit | 435ns |
Bruttogewicht6 g
Zertifikate
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