APT102GA60B2
Transistor: IGBT; PT; 600V; 102A; 780W; T-Max
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APT102GA60B2
Symbol TME:
APT102GA60B2
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Technologie | POWER MOS 8®, PT | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 600V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 102A | |
Verlustleistung | 780W | |
Gehäuse | T-Max | |
Gate - Emitter Spannung | ±30V | |
Kollektorstrom im Impuls | 307A | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 294nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Anschaltzeit | 64ns | |
Ausschaltzeit | 389ns |
Bruttogewicht6 g
Zertifikate
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