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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Transistor-Typ	N-MOSFET
Technologie	POWER MOS 8®
Polarisierung	unipolar
Drain-Source Spannung	1kV
Drainstrom	14A
Verlustleistung	500W
Gehäuse	TO247
Gate-Source Spannung	±30V
Widerstand im Leitungszustand	980mΩ
Montage	THT
Gate-Ladung	0,12µC
Verpackungs-Art	Tube
Kanal-Art	anreicherungs

APT14F100B

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 14A; 500W; TO247

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke