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APT150GN60B2G

Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 123A; 536W; T-Max

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY

Kennzeichnung des Herstellers:
APT150GN60B2G
Symbol TME:
APT150GN60B2G

Technische Daten

Hersteller
MICROCHIP TECHNOLOGY
Transistor-Typ
IGBT
Technologie
Field Stop
Kollektor-Emitter-Spannung
600V
Kollektor-Emitter-Strom
123A
Verlustleistung
536W
Gehäuse
T-Max
Gate - Emitter Spannung
±30V
Kollektorstrom im Impuls
450A
Montage
THT
Gate-Ladung
970nC
Verpackungs-Art
Tube
Anschaltzeit
154ns
Ausschaltzeit
575ns
Bruttogewicht6 g
Zertifikate

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APT150GN60B2G
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