APT25GP90BG
Transistor: IGBT; PT; 900V; 36A; 417W; TO247-3
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APT25GP90BG
Symbol TME:
APT25GP90BG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Technologie | POWER MOS 7®, PT | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 900V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 36A | |
Verlustleistung | 417W | |
Gehäuse | TO247-3 | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 110A | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 110nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Anschaltzeit | 29ns | |
Ausschaltzeit | 190ns |
Bruttogewicht6 g
Zertifikate
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