APT25GR120B
Transistor: IGBT; NPT; 1,2kV; 25A; 521W; TO247-3
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APT25GR120B
Symbol TME:
APT25GR120B
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Technologie | NPT, POWER MOS 8® | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 25A | |
Verlustleistung | 521W | |
Gehäuse | TO247-3 | |
Gate - Emitter Spannung | ±30V | |
Kollektorstrom im Impuls | 100A | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 154nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Anschaltzeit | 26ns | |
Ausschaltzeit | 164ns | |
Status des Teils | für Neuprojekte nicht empfohlen |
Bruttogewicht6 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
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* APT25GR120BAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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