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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Transistor-Typ	N-MOSFET
Technologie	POWER MOS 8®
Polarisierung	unipolar
Drain-Source Spannung	1kV
Drainstrom	30A
Verlustleistung	1,04kW
Gehäuse	T-Max
Gate-Source Spannung	±30V
Widerstand im Leitungszustand	440mΩ
Montage	THT
Gate-Ladung	260nC
Verpackungs-Art	Tube
Kanal-Art	anreicherungs

APT29F100B2

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 30A; 1040W; T-Max

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke