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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	800V
Drainstrom	19A
Gehäuse	ISOTOP
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	0,21Ω
Drainstrom im Impuls	173A
Verlustleistung	543W
Technologie	POWER MOS 8®
Kanal-Art	anreicherungs
Gate-Source Spannung	±30V
Verpackungs-Art	Tube
Mechanische Montage	schraubbar

APT29F80J

Modul; einzelner Transistor; 800V; 19A; ISOTOP; schraubbar; 543W

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke