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APT30GN60BDQ2G

Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 37A; 203W; TO247-3


Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY

Kennzeichnung des Herstellers:
APT30GN60BDQ2G
Symbol TME:
APT30GN60BDQ2G

Technische Daten

Hersteller
MICROCHIP TECHNOLOGY
Transistor-Typ
IGBT
Technologie
Field Stop
Kollektor-Emitter-Spannung
600V
Kollektor-Emitter-Strom
37A
Verlustleistung
203W
Gehäuse
TO247-3
Gate - Emitter Spannung
±30V
Kollektorstrom im Impuls
90A
Montage
THT
Gate-Ladung
165nC
Verpackungs-Art
Tube
Anschaltzeit
16ns
Ausschaltzeit
255ns
Eigenschaften von Halbleiterelementen
integrated anti-parallel diode
Bruttogewicht6 g
Zertifikate

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APT30GN60BDQ2G
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