APT31M100B2
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 20A; Idm: 120A; 1,04kW
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APT31M100B2
Symbol TME:
APT31M100B2
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Transistor-Typ | N-MOSFET | |
Technologie | POWER MOS 8® | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 1kV | |
Drainstrom | 20A | |
Drainstrom im Impuls | 120A | |
Verlustleistung | 1,04kW | |
Gehäuse | TO247MAX | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Widerstand im Leitungszustand | 0,38Ω | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 260nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Kanal-Art | anreicherungs |
Bruttogewicht6 g
Zertifikate
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