APT33GF120B2RDQ2G
Transistor: IGBT; NPT; 1,2kV; 30A; 357W; T-Max
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APT33GF120B2RDQ2G
Symbol TME:
APT33GF120B2RDQ2G
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Technologie | NPT | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 30A | |
Verlustleistung | 357W | |
Gehäuse | T-Max | |
Gate - Emitter Spannung | ±30V | |
Kollektorstrom im Impuls | 75A | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 170nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Anschaltzeit | 31ns | |
Ausschaltzeit | 355ns | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |
Bruttogewicht6 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
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