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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Transistor-Typ	N-MOSFET
Technologie	POWER MOS 8®
Polarisierung	unipolar
Drain-Source Spannung	1kV
Drainstrom	21A
Drainstrom im Impuls	140A
Verlustleistung	1135W
Gehäuse	TO247MAX
Gate-Source Spannung	±30V
Widerstand im Leitungszustand	0,38Ω
Montage	THT
Gate-Ladung	305nC
Verpackungs-Art	Tube
Kanal-Art	anreicherungs

APT34F100B2

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 140A; 1135W; TO247MAX

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke