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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Transistor-Typ	IGBT
Technologie	POWER MOS 7®, PT
Kollektor-Emitter-Spannung	1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom	46A
Verlustleistung	543W
Gehäuse	T-Max
Gate - Emitter Spannung	±30V
Kollektorstrom im Impuls	140A
Montage	THT
Gate-Ladung	150nC
Verpackungs-Art	Tube
Anschaltzeit	36ns
Ausschaltzeit	0,22µs
Eigenschaften von Halbleiterelementen	integrated anti-parallel diode

APT35GP120B2D2G

Transistor: IGBT; PT; 1,2kV; 46A; 543W; T-Max

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke