APT40GR120B2D30
Transistor: IGBT; NPT; 1,2kV; 40A; 500W; T-Max
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APT40GR120B2D30
Symbol TME:
APT40GR120B2D30
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Technologie | NPT, POWER MOS 8® | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 40A | |
Verlustleistung | 500W | |
Gehäuse | T-Max | |
Gate - Emitter Spannung | ±30V | |
Kollektorstrom im Impuls | 160A | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 0,21µC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Anschaltzeit | 47ns | |
Ausschaltzeit | 232ns | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode | |
Status des Teils | für Neuprojekte nicht empfohlen |
Bruttogewicht6.76 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
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* APT40GR120B2D30Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Nettopreis für Mengen von 1 st - 20.25 GBPBruttopreis für Mengen von 1 st - 24.09 GBP
Nettopreis für Mengen von 3 st - 18.11 GBPBruttopreis für Mengen von 3 st - 21.55 GBP
Nettopreis für Mengen von 10 st - 15.97 GBPBruttopreis für Mengen von 10 st - 19.00 GBP
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 30 st