APT43GA90BD30
Transistor: IGBT; PT; 900V; 43A; 337W; TO247-3
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APT43GA90BD30
Symbol TME:
APT43GA90BD30
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Technologie | POWER MOS 8®, PT | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 900V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 43A | |
Verlustleistung | 337W | |
Gehäuse | TO247-3 | |
Gate - Emitter Spannung | ±30V | |
Kollektorstrom im Impuls | 129A | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 116nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Anschaltzeit | 28ns | |
Ausschaltzeit | 246ns | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |
Bruttogewicht6 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
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* APT43GA90BD30Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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