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APT44GA60BD30

Transistor: IGBT; PT; 600V; 44A; 337W; TO247-3


Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY

Kennzeichnung des Herstellers:
APT44GA60BD30
Symbol TME:
APT44GA60BD30

Technische Daten

Hersteller
MICROCHIP TECHNOLOGY
Transistor-Typ
IGBT
Technologie
POWER MOS 8®, PT
Kollektor-Emitter-Spannung
600V
Kollektor-Emitter-Strom
44A
Verlustleistung
337W
Gehäuse
TO247-3
Gate - Emitter Spannung
±30V
Kollektorstrom im Impuls
130A
Montage
THT
Gate-Ladung
128nC
Verpackungs-Art
Tube
Anschaltzeit
29ns
Ausschaltzeit
208ns
Eigenschaften von Halbleiterelementen
integrated anti-parallel diode
Bruttogewicht6 g
Zertifikate

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