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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Technologie | POWER MOS 8®, PT | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 600V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 44A | |
Verlustleistung | 337W | |
Gehäuse | TO247-3 | |
Gate - Emitter Spannung | ±30V | |
Kollektorstrom im Impuls | 130A | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 128nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Anschaltzeit | 29ns | |
Ausschaltzeit | 208ns | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |