APT45GR65B
Transistor: IGBT; NPT; 650V; 56A; 543W; TO247-3
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APT45GR65B
Symbol TME:
APT45GR65B
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Technologie | NPT, POWER MOS 8® | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 650V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 56A | |
Verlustleistung | 543W | |
Gehäuse | TO247-3 | |
Gate - Emitter Spannung | ±30V | |
Kollektorstrom im Impuls | 224A | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 150nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Anschaltzeit | 47ns | |
Ausschaltzeit | 175ns | |
Status des Teils | für Neuprojekte nicht empfohlen |
Bruttogewicht6 g
Zertifikate
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