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APT50GF120JRDQ3

Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 64A; SOT227B


Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY

Kennzeichnung des Herstellers:
APT50GF120JRDQ3
Symbol TME:
APT50GF120JRDQ3

Technische Daten

Hersteller
MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls
IGBT
Struktur des Halbleiters
einzelner Transistor
Rückspannung max.
1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom
64A
Gehäuse
SOT227B
Elektrische Montage
schraubbar
Gate - Emitter Spannung
±30V
Kollektorstrom im Impuls
225A
Technologie
Fast IGBT, FRED, NPT
Verpackungs-Art
Tube
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht30 g
Zertifikate

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APT50GF120JRDQ3
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