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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Transistor-Typ	IGBT
Technologie	NPT, POWER MOS 8®
Kollektor-Emitter-Spannung	1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom	50A
Verlustleistung	694W
Gehäuse	T-Max
Gate - Emitter Spannung	±30V
Kollektorstrom im Impuls	200A
Montage	THT
Gate-Ladung	330nC
Verpackungs-Art	Tube
Anschaltzeit	66ns
Ausschaltzeit	324ns

APT50GR120B2

Transistor: IGBT; NPT; 1,2kV; 50A; 694W; T-Max

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke