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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Transistor-Typ	IGBT
Technologie	POWER MOS 8®, PT
Kollektor-Emitter-Spannung	900V
Kollektor-Emitter-Strom	64A
Verlustleistung	500W
Gehäuse	T-Max
Gate - Emitter Spannung	±30V
Kollektorstrom im Impuls	193A
Montage	THT
Gate-Ladung	162nC
Verpackungs-Art	Tube
Anschaltzeit	44ns
Ausschaltzeit	352ns
Eigenschaften von Halbleiterelementen	integrated anti-parallel diode

APT64GA90B2D30

Transistor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; T-Max

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke