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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Transistor-Typ	IGBT
Technologie	POWER MOS 7®, PT
Kollektor-Emitter-Spannung	600V
Kollektor-Emitter-Strom	96A
Verlustleistung	833W
Gehäuse	T-Max
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	250A
Montage	THT
Gate-Ladung	0,21µC
Verpackungs-Art	Tube
Anschaltzeit	84ns
Ausschaltzeit	219ns

APT65GP60B2G

Transistor: IGBT; PT; 600V; 96A; 833W; T-Max

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke