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Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 800V | ||
Drainstrom | 29A | ||
Gehäuse | ISOTOP | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Polarisierung | unipolar | ||
Widerstand im Leitungszustand | 0,24Ω | ||
Drainstrom im Impuls | 116A | ||
Verlustleistung | 460W | ||
Technologie | POWER MOS 7® | ||
Kanal-Art | anreicherungs | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Verpackungs-Art | Tube | ||
Mechanische Montage | schraubbar |