APT80GA90B
Transistor: IGBT; PT; 900V; 80A; 625W; TO247-3
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APT80GA90B
Symbol TME:
APT80GA90B
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Technologie | POWER MOS 8®, PT | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 900V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 80A | |
Verlustleistung | 625W | |
Gehäuse | TO247-3 | |
Gate - Emitter Spannung | ±30V | |
Kollektorstrom im Impuls | 239A | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 200nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Anschaltzeit | 49ns | |
Ausschaltzeit | 320ns |
Bruttogewicht6 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: IGBT THT-Transistoren MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APT80GA90BAnzahl Stück (Vielfache: 1)
0 auf Lager bei TME
Nettopreis für Mengen von 1 st - 13.42 EURBruttopreis für Mengen von 1 st - 15.97 EUR
Nettopreis für Mengen von 3 st - 12.08 EURBruttopreis für Mengen von 3 st - 14.38 EUR
Nettopreis für Mengen von 10 st - 10.68 EURBruttopreis für Mengen von 10 st - 12.70 EUR
Angebot verfügbar für eingeloggte Kunden